ロングテック株式会社
製品情報
半導体用
高純度酸化セリウム砥粒
技術力
01
粒子径御製
10～500nmの粒子径制御技術により、狭い粒度分布と優れた分散性を実現
02
粒子形状御製
球状・三角形・六角形・立方体など、多様な粒子形状を高精度に制御
03
多様な製造プロセス
焼成法・ゾル・ゲル法に対応し、複合粒子の開発にも取り組んでいます
04
一貫生産体制
精製から合成、焼成、分散、超精密ろ過まで、一貫生産体制を構築
14nm以上プロセス向けSTI・ILD平坦化用製品
14nm以下プロセス向けSTI・ILD平坦化用製品
半導体ウェハースラリー
SiC基板・Siウェーハ向け粗・精研磨用CMPスラリー
ベンチマーク評価
評価条件
・使用装置：DSP両面研磨機（16B）
・研磨パッド：DuPont SUBA800
・基板：6インチSiCウェーハ ×14枚
・研磨時間：3時間
・プラテン回転数：35rpm
当社製品のプロセス別性能
お問い合わせ
Tel.06-6123-1110
営業時間 10:00-18:00 定休日：土・日曜日