製品情報

SiCウェハ

   Pグレード100mm 4/6/8インチ
        新規提供4/6/8インチ

SiCウエハ デバイス用途別 必要仕様一覧

項目 650V 1200V 1700V
主用途 MOSFET / SBD / JBS MOSFET / SBD / JBS MOSFET / PiN
基板タイプ 4H-SiC n型 4H-SiC n型 4H-SiC n型
抵抗率(Ω・cm) 0.01–0.03 0.02–0.05 0.05–0.10
マイクロパイプ 0 0 0
BPD密度(cm⁻²) 0.5 0.2 0.1
TSD / TED 管理値以下 管理値以下 極低
ウエハ径 150 / 200 mm 150 / 200 mm 150 / 200 mm
オフ角 4° ± 0.1° 4° ± 0.1° 4° ± 0.1°
表面粗さ RMS 0.2 nm 0.15 nm 0.1 nm
TTV 5 µm 4 µm 3 µm
Bow / Warp 30 µm 30 µm 25 µm

お問い合わせ

Tel.06-6123-1110

営業時間 10:00-18:00 定休日:土・日曜日